Si細線構造への高密度Si量子ドット形成

抄録

p-Si(100)基板にEBリソグラフィおよびドライエッチングを用いて高さ300nmのライン&スペース構造を形成し、熱酸化後、SiH4のLPCVDによる反応初期過程の精密制御によりSi細線上にSi量子ドットを自己組織化形成した。スペース幅が500~1500nmのSi細線では、側壁に細線上部と同程度の面密度(~5x1011cm-2)でSi量子ドットが形成できることが分かった。