プラズマCVDにおけるグラフェン成長初期過程の偏光解析モニタリング

抄録

層数の少ないグラフェンを作製するには、成長初期過程をモニタリングし解析や制御を行うことが重要となる。私達はマグネトロンプラズマを利用したCVD 法によりグラフェンを成長している。この装置では、偏光解析装置を組み込んでモニタリングができる。グラフェンが成長する初期過程における偏光解析パラメータの変化を測定し、成長モデルに基づくシミュレーションと対応させて、その成長初期過程を解析した。