希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加ダイヤモンドライクカーボンの膜特性

抄録

希釈ガスにH₂を用いたプラズマCVD法により作製したSiおよびNを共添加したDLC（Si-N-DLC）の膜特性を評価した。N添加DLC（N-DLC）に比べて内部応力は低く、スクラッチ試験により得られた臨界荷重および光透過率は高かった。ラマン分光、FTIR、XPSにより、Si-N-DLCには Si-N結合成分が存在し、N-DLCに比べてsp²C=C結合成分が減少しsp³ C-N結合成分は増加した。