TOF-SIMSによるSi/Al界面の評価

抄録

TOF-SIMSでは、試料最表面の分析と、スパッタリングによる表面層の除去を交互に繰り返し行うことにより、立体的に各元素の分布を視覚化することができる。今回、Si基板上にAl、Co薄膜を成膜し、室温のままの試料と、500℃、550℃、600℃の各温度に加熱した試料を用意して、TOF-SIMSを用いて３次元測定することにより、温度変化によるSi/Al界面の拡散の様子を視覚化した。