SiC半導体のパワーデバイス開発と実用化への戦略

－ 新規半導体デバイス開発における産総研の役割 －

抄録

SiC半導体のパワーデバイスの実現は、その省エネルギー効果により大きな期待が持たれている。SiCのような新規半導体のデバイスとしての実用化には、乗り越えなくてはならないいくつもの技術上の壁がある。産総研が関与した国家プロジェクトを中心として、15年を越える実用化に向けての研究開発活動を、産総研内の組織の変遷に対応させて、1）研究目標、2）個別課題の設定と解決のための戦略およびその成果、3）戦略の妥当性の評価に分けて記述し、最後に今後の課題について述べる。