Influence of annealing in hydrogen sulfide atmosphere of the Cu-Ag-Sn thin films

Koki Tanoue; Shigeyuki Nakamura; Hideaki Araki; Satoru Seto; Toshiyuki Yamaguchi; Yoji Akaki

doi:10.57386/tmc.2016.0_36

2016

DOI https://doi.org/10.57386/tmc.2016.0_36

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会　多元系化合物・太陽電池研究会

会議名: 平成28年度　応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会

開催地: 12月9日（金）：国立研究開発法人産業技術総合研究所福島再生可能エネルギー研究所/12月10日（土）：ふくしま磐梯熱海温泉ホテル華の湯

開催日: 2016/12/09 - 2016/12/10

Cu-Ag-Sn薄膜の硫化水素による熱処理の影響

田之上幸輝, 中村重之, 荒木秀明, 瀬戸悟, 山口利幸, 赤木洋二

著者情報

会議録・要旨集フリー

p. 36-39

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抄録

We fabricated the Cu-Ag-Sn-S thin films by depositing the Cu-Ag-Sn precursor by vacuum evaporation method and sulfurizing it in H₂S atmosphere. By heat treatment at 350℃, peaks attributable to Ag₈SnS₆ crystal and Ag₄Sn₃S₈ crystal were observed. By increasing the heat treatment temperature, only Ag₈SnS₆ crystals were obtained.

責任著者(Corresponding author)

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