主催: 公益社団法人 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会
会議名: 平成28年度 応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会
開催地: 12月9日（金）：国立研究開発法人産業技術総合研究所 福島再生可能エネルギー研究所/12月10日（土）：ふくしま磐梯熱海温泉 ホテル華の湯
開催日: 2016/12/09 - 2016/12/10
p. 33-35
The effect of low pressure annealing on SnS thin films and solar cells grown by sulfurization was investigated to prevent the formation of extra phases. The SnS thin film grown by sulfurization is annealed in a vaccum. XRD and Raman measurement showed that this SnS thin film was without the formation of extra phases such as SnS2 or Sn2S3.
