主催: 公益社団法人 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会
会議名: 平成28年度 応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会
開催地: 12月9日（金）：国立研究開発法人産業技術総合研究所 福島再生可能エネルギー研究所/12月10日（土）：ふくしま磐梯熱海温泉 ホテル華の湯
開催日: 2016/12/09 - 2016/12/10
p. 40-42
Effects of substrate temperature for the deposited Cu2SnS3 thin films using vacuum evaporation method ware investigated. The diffraction peak attributable to the monoclinic Cu2SnS3 crystal was obtained at any substrate temperature. It is estimated that the band gap of thin films is 0.94-1.03eV. The voids in the thin films decrease as the substrate temperature increases.
