主催: 公益社団法人 応用物理学会 多元系化合物・太陽電池研究会
会議名: 平成28年度 応用物理学会「多元系化合物・太陽電池研究会」年末講演会
開催地: 12月9日（金）：国立研究開発法人産業技術総合研究所 福島再生可能エネルギー研究所/12月10日（土）：ふくしま磐梯熱海温泉 ホテル華の湯
開催日: 2016/12/09 - 2016/12/10
p. 43-46
Ag and SnS were sequentially vapor-deposited on a glass substrate by a vacuum deposition method and heat-treated at 350 to 500℃ for 1 hour in an H2S atmosphere. From the XRD pattern, diffraction peaks of SnS crystal for precursor film, Ag2S crystal for the thin films annealed at 350 to 400℃, and Ag8SnS6 crystal for the thin films annealed at 400 to 500℃ could be confirmed.
