近接場光学顕微鏡による微小相変化マーク形成

抄録

光の回折限界を超えた分解能を有する近接場光学顕微鏡を用いて相変化マークを書き込み、かつそれを読み出すことを試みた。媒体にはアモルファス状態であるGeSbTeのアズ : デポ膜を用いた。プローブ内にパルスレーザ光入射して媒体を局所加熱することにより、最小約80nmの結晶マークを書き込むことができた。このサイズで最密記録を行うと、約100Gb/in^2の記録密度を達成することができる。モデル計算によると、この書き込みのメカニズムは、プローブから媒体への熱伝導が支配的であることがわかった。