1J4-2 スパッタ成膜中にSc金属から発生する高速負イオンがScAlN薄膜の圧電性に及ぼす影響

超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム講演論文集

Online ISSN : 2433-1910
Print ISSN : 1348-8236

1J4-2 スパッタ成膜中にSc金属から発生する高速負イオンがScAlN薄膜の圧電性に及ぼす影響

高柳真司, 柳谷隆彦

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2017 年 38 巻論文ID: 1J4-2

DOI https://doi.org/10.24492/use.38.0_1J4-2

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© 2017 特定非営利活動法人超音波エレクトロニクス協会

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