パワーモジュールの主な破損モードの一つであるワイヤリフトオフは，動作中に繰り返される熱応力によって引き起こされ，熱疲労による疲労き裂成長現象と見なすことができる。本論文では，ワイヤリフトオフ寿命を推定するための新しい方法を提案する。本方法では拡張パリス則を採用し，1サイクル当たりの応力拡大係数範囲に代わり，非線形破壊力学パラメータT*積分範囲ΔT*を疲労き裂進展の推進力とする。ΔT*積分は，塑性ひずみとクリープひずみなどを含む熱疲労問題に有効な非線形破壊力学パラメータである。そのため，室温から高温までの幅広い範囲において適用することができ，寿命予測の結果と実験結果との間には良い一致が見られた。

大電力容量パワエレ機器の小型軽量化，およびその長期間動作の信頼性担保のため，パワーモジュールの放熱設計が重要である。著者らは過去の研究において，ハードウェアおよびソフトウェアの統合設計により，低熱抵抗パワーモジュールの評価に適した過渡熱抵抗測定システムを開発した。本論文では，低熱抵抗パワーモジュールに用いられるモジュール基板を用いて，開発システムの性能および結果の妥当性を確認する。SiC MOSFETを実装した2種類のモジュール基板サンプルそれぞれの放熱性能を，開発システムを用いた実験および数値シミュレーションで得られた過渡熱回路で評価・比較し，開発システムの有効性を確認した。

In order to investigate the relationship between passivation behavior and the anode slime layer formed on a Sn–Sb–In system electrode, we employed chronopotentiometry along with cross-sectional analysis of the anode layer using microscopic observation and elemental mapping. Our results show that the anode slime layer structure varied depending on anode composition. The more In included in electrodes, the more porous the anode slime layer became under these experimental conditions. The experiment result suggests that Sn²⁺ transfer was prevented by the anode slime layer, which was less effective when the anode slime layer was thin and porous than when thick and not porous.

Al多積層体の超音波接合について，接合強度と接合界面の結晶方位成分，結晶粒径の関係を調べた。厚さ0.5 mmの薄板3枚と厚さ2.0 mmの基板1枚を振幅，接合時間を変えて接合した。接合強度試験において薄板と基板の界面破断から薄板での破断に変化するとき，接合界面では圧延または単純せん断集合組織成分を有した微細な結晶粒から単純せん断集合組織成分を有した粗大な結晶粒へ変化した。この組織変化は融点(K)の約50%で生じ，接合は超音波振動のせん断ひずみと熱による再結晶とともに進展したと考えられる。以上より，結晶方位成分と結晶粒径は接合の進展と相関し，条件適正化に利用できることを示した。