応用物理学会学術講演会講演予稿集

第63回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の4012件中1351～1400を表示しています

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P2型Na_xCo_1-yMn_yO₂固溶体のEXAFS解析

赤間翔太, 天羽薫, 小林航, 丹羽秀治, 守友浩

セッションID: 19p-H111-17
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1351

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O3型Na_xCo_1-yFe_yO₂固溶体のEXAFS解析

小林航, 天羽薫, 赤間翔太, 丹羽秀治, 守友浩

セッションID: 19p-H111-18
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1352

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マンガンプルシャンブルー類似体のリチウムイオン二次電池負極挙動

柴田恭幸, 浦瀬翔太, 守友浩

セッションID: 19p-H111-19
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1353

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pH制御による電気化学製膜Cu₂Oの電気特性制御

辻玄貴, 滝口雄貴, 宮島晋介

セッションID: 19p-H111-20
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1354

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Cu₂O系ヘテロ接合太陽電池のn形半導体層の成膜技術の検討

宇於崎涼介, 渡辺恭輔, 西祐希, 宮田俊弘, 南内嗣

セッションID: 19p-H111-21
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1355

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Zn_1-XGe_X-O多元系酸化物薄膜をn形層に用いるp形Cu₂O系ヘテロ接合太陽電池

西祐希, 山崎丞路, 宮田俊弘, 南内嗣

セッションID: 19p-H111-22
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1356

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溶液を基板に滴下した光化学堆積法によるAlO_x薄膜作製

佐藤駿太, 市村正也

セッションID: 20a-H111-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1357

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スプレー法による酸化アルミニウム薄膜の作製

高田直也, 安部功二, 長沼健斗

セッションID: 20a-H111-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1358

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⼤気開放型CVDによる酸化亜鉛ウィスカーの成膜

角田直輝, 小松啓志, 菊田剛史, 齋藤秀俊

セッションID: 20a-H111-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1359

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HfO₂/SiO₂/Si構造における保持電荷量の評価

野口和馬, 廣森湧太郎, 宮武真嗣, 奈良安雄

セッションID: 20a-H111-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1360

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電界効果による強相関酸化物SrVO₃薄膜の金属-絶縁体転移相図

大友圭輔, 佐藤洋平, 上野和紀

セッションID: 20a-H111-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1361

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界面双極子を用いた水溶液/酸化物界面バンド端位置の制御

疋田育之, 西尾和記, Linsey Seitz, Pongkarn Chakthranont, 立川卓, Thomas Jarami ...

セッションID: 20a-H111-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1362

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面方位制御La_1/3Sr_2/3FeO₃薄膜における電荷不均化の膜厚依存性

簑原誠人, 北村未歩, 和達大樹, 組頭広志

セッションID: 20a-H111-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/31

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1363

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Fe₃O₄薄膜のSolid-state dewettingのAFM観察

正能大起, 高橋竜太, 小沼碧海, 丸山伸伍, 松本祐司, Jahangir Solmaz, Nagarajan Valanoor ...

セッションID: 20a-H111-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1364

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PLD法で作製したY₃Fe₅O₁₂薄膜における格子歪とスピン波相関

山原弘靖, 村田哲也, 那須英和, 関宗俊, 田畑仁

セッションID: 20a-H111-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1365

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スピン波応用に向けたRサイト置換ガーネット薄膜の作製と磁性評価

村田哲也, 那須英和, 山原弘靖, 関宗俊, 田畑仁

セッションID: 20a-H111-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1366

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Rutile-TiO₂単結晶光生成キャリアダイナミクスにおける結晶軸依存性

佐藤夏子, 五十嵐樹莉, 井口歩武, 井出寛子, 下迫直樹, 坂間弘, 江馬一弘, 欅田英之

セッションID: 21a-H111-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1367

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可視光応答性光触媒NbON(100)薄膜のエピタキシャル成長と残留キャリア密度の低減

菊地諒介, 中村透, 田村聡, 村瀬英昭, 羽藤一仁

セッションID: 21a-H111-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1368

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パルスレーザー堆積/非接触原子間力顕微鏡複合装置の開発とアナターゼ型TiO₂(001)表面の高分解能測定

勝部大樹, 山下隼人, 阿保智, 若家冨士男, 阿部真之

セッションID: 21a-H111-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1369

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深紫外線センサの応用に向けたNi_1-xMg_xO膜の酸素空孔が及ぼす吸収スペクトルへの影響とバンドギャップの評価

西谷拓樹, 太田晃平, 北野総佑, 濱野亮介, 稲田貢, 清水智弘, 新宮原正三, 幸塚広光, 齊藤正

セッションID: 21a-H111-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1370

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金属ナノ粒子‐酸化物界面におけるマイクロ波吸収

佐藤友香, 米谷真人, 椿俊太郎, 鈴木榮一, 和田雄二

セッションID: 21a-H111-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1371

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グラフェン上への配向性ZnOナノロッドの直接合成

徳田冬樹, 本田光裕, 奥村竜二, 市川洋

セッションID: 21a-H111-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1372

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(Zn_1-xNi_x)O混合体のバルク相分離構造解析及びエピタキシャル相分離薄膜成長

李明宇, 中川原修, 服部梓, 田中秀和

セッションID: 21a-H111-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1373

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単結晶酸化物ナノワイヤのナノ熱物性を活用した分子センサ

Meng Gang, 長島一樹, 金井真樹, 柳田剛

セッションID: 21a-H111-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1374

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VO₂フリースタンディングナノ細線の作製と電気伝導特性評価

樋口敬之, 神吉輝夫, Luca Pellegrino, Nicola Manca, Daniele Marré, 田中秀和

セッションID: 21a-H111-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1375

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TiO₂(001)基板上の単結晶VO₂薄膜のHall測定による電荷輸送特性評価

近成将, 神吉輝夫, 田中秀和

セッションID: 21a-H111-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1376

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有機極性分子の表面修飾によるVO₂薄膜の金属-絶縁体相転移制御

塩谷広樹, 庄子良晃, 清木規矢, 中野匡規, 福島孝典, 岩佐義宏

セッションID: 21a-H111-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1377

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Cu/WO_x平面型抵抗変化メモリのTEMその場観察

武藤恵, 米坂瞭太, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

セッションID: 21p-H111-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1378

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二層絶縁層を有するMoO_x/Al₂O₃抵抗変化型メモリ動作のTEMその場観察

平田周一郎, 高橋謙仁, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫

セッションID: 21p-H111-2
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1379

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抵抗変化型メモリのアナログ的抵抗可変特性

曹民圭, 勝村玲音, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫, 安藤秀幸, 森江隆

セッションID: 21p-H111-3
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1380

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Ta₂O₅を用いた抵抗変化型メモリの多値・アナログメモリ動作

勝村玲音, Grönroos Mika, 福地厚, 有田正志, 高橋庸夫, 安藤秀幸, 森江隆

セッションID: 21p-H111-4
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1381

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スパッタ堆積SiO₂膜の抵抗変化現象に対するキャリアエネルギーの影響

山口凛太郎, 佐藤伸吾, 大村泰久

セッションID: 21p-H111-5
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1382

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酸素欠陥型抵抗変化メモリにおける欠陥導入層の材料選択

中川良祐, 福地厚, 有田正志, 高橋康夫

セッションID: 21p-H111-6
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1383

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RFスパッタ法によるBaTiO₃薄膜の抵抗変化型メモリ特性の検討

前島壮, 橋本修平, 杉江敏幸, 張子洋, 山下馨, 野田実

セッションID: 21p-H111-7
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1384

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Layer-by-Layer焼成雰囲気におけるBaTiO₃薄膜の抵抗変化型メモリ特性向上の研究

杉江敏幸, 橋本修平, 前島壮, 張子洋, 野田実, 山下馨

セッションID: 21p-H111-8
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1385

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スパッタ堆積SiO₂膜の抵抗変化現象の特徴

赤野拓哉, 山口凛太朗, 佐藤伸吾, 大村泰久

セッションID: 21p-H111-9
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1386

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抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討～ NiOの様々な表面状態に対する電子状態解析～

森山拓洋, 山崎隆浩, 大野隆央, 岸田悟, 木下健太郎

セッションID: 21p-H111-10
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1387

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スパッタ堆積TiO₂膜の抵抗変化現象に関する考察

川嶋望, 佐藤伸吾, 大村泰久

セッションID: 21p-H111-11
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1388

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ルチル型TiO₂単結晶の酸素空孔分布制御と抵抗変化特性

下谷将人, 竹内正太郎, 酒井朗

セッションID: 21p-H111-12
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1389

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酸素ラジカルを用いて作製したTiO_2-δスパッタ薄膜の局所構造とI-V特性

川村欣也, 樋口透, 鈴木直哉, 土屋敬志, 小林正起, 組頭広志, 寺部一弥

セッションID: 21p-H111-13
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1390

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熱アニールによるHfO₂膜変化の導電AFM観察

三沢源人, 島久, 内藤泰久, 秋永広幸

セッションID: 21p-H111-14
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1391

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Electronic mechanism for resistive switching

Hannes Raebiger, Claudio Padilha, Alexandre R. Rocha, Gustavo M. Dalpi ...

セッションID: 21p-H111-15
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1392

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Ge核／Si上へのFe₃O_4-_δナノドットエピタキシャル成長におけるGe核サイズの効果

石部貴史, 前田佳輝, 松井秀紀, 渡辺健太郎, 成瀬延康, 中村芳明

セッションID: 21p-H111-16
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1393

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Si 基板上への鉄酸化物ナノドットの固相エピタキシャル成長とその電気特性評価

前田佳輝, 黒川翼, 石部貴史, 渡辺健太郎, 成瀬延康, 中村芳明

セッションID: 21p-H111-17
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1394

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Cu/Ta₂O₅界面の酸化還元反応と抵抗スイッチ動作の湿度依存性

鶴岡徹, マヌカンセドリック, 長谷川剛, 青野正和

セッションID: 21p-H111-18
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1395

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Pt/Nb:STOショットキー接合における障壁変調とメモリ特性の関係

塩見俊樹, 萩原祐仁, 岸田悟, 木下健太郎

セッションID: 21p-H111-19
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1396

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陰イオン拡散型抵抗変化メモリの荷電状態に基づいた信頼性の検討

木村康平, 大観光徳, 岸田悟, 木下健太郎

セッションID: 21p-H111-20
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1397

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ReRAMにおける抵抗変化ドライビングフォースとしてのSoret拡散の検討

木下健太郎, 小石遼介, 森山拓洋, 河野公紀, 宮下英俊, 李相錫, 岸田悟

セッションID: 21p-H111-21
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1398

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Ti系薄膜およびTiナノドットを埋め込んだSiO_x膜の抵抗変化特性評価

加藤祐介, 大田晃生, 牧原克典, 宮崎誠一

セッションID: 21p-H111-22
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1399

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酸化亜鉛を用いた透明セルフスイッチングナノダイオードの作製と評価

孫屹, 芦田浩平, 松田宗平, 小山政俊, 前元利彦, 佐々誠彦, 葛西誠也

セッションID: 22a-P4-1
発行日: 2016/03/03
公開日: 2023/03/17

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2016.1.0_1400

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