応用物理学会学術講演会講演予稿集

第64回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の4046件中251～300を表示しています

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GlobalなResearch組織の中で取り組むNeuromorphic deviceの研究

山道新太郎

セッションID: 15p-414-1
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_251

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研究開発型ベンチャー企業で働くということ - 省エネルギー世界No.1のスーパーコンピュータの開発を通じて -

鳥居淳

セッションID: 15p-414-2
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_252

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先端半導体技術開発の将来展望とキャリア設計

山本知成

セッションID: 15p-414-3
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_253

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時代の流れとOSATの注力事業

勝又章夫, 高島晃, 澤田和宏, 住原英樹, 伊藤則夫

セッションID: 15p-414-4
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_254

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センシング時代に向けたイメージセンサ技術の進化

野本哲夫

セッションID: 15p-414-5
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_255

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日米での次世代LSI研究開発の経験から

高柳万里子

セッションID: 15p-414-6
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_256

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高度運転支援システムとMEMSデバイス

磯部良彦

セッションID: 16p-303-1
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_257

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光MEMSデバイスのレーザレーダ応用

土屋智由

セッションID: 16p-303-2
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_258

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自動運転自動車の公道走行実験の概要とその課題

菅沼直樹

セッションID: 16p-303-3
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_259

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MEMSセンサによる自立航法と準天頂衛星

熊谷秀夫

セッションID: 16p-303-4
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_260

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Rate Integrating MEMS Gyroscope with Sub-Hz Frequency Symmetry and Temperature Robustness

Joan Josep GinerdeHaro, Yuhua Zhang, Kazuo Ono, Daisuke Maeda, Tomonor ...

セッションID: 16p-303-5
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_261

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人とクルマの協調運転のためのドライバ状態検出と運転支援技術

金森等

セッションID: 16p-303-6
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_262

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ウェアラブルセンサによる着席状態での呼吸計測

Kundu Subrata, 寺澤槙恵, 熊谷慎也, 佐々木実

セッションID: 16p-303-7
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_263

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GFIS イオン顕微鏡技術およびその応用:シンポジウム開催にあたり

小川真一

セッションID: 16p-315-1
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_264

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The History and New Development of the Helium Ion Microscopy Technology with ZEISS ORION NanoFab

Yongkai Zhou

セッションID: 16p-315-2
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_265

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電界電離ガスイオン源を用いたマスクリペア技術

八坂行人, 荒巻文朗, 小堺智一, 松田修

セッションID: 16p-315-3
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_266

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集束ヘリウムイオンビームによる金薄膜の加工特性に関する検討

前田悦男, 飯島智彦, 右田真司, 小川真一, 米谷玲皇

セッションID: 16p-315-4
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_267

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ヘリウムイオン顕微鏡を用いたナノファイバブラッグ共振器の開発

高島秀聡, 福田純, 丸谷浩永, 岩端祐介, Schell Andreas, 竹内繁樹

セッションID: 16p-315-5
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_268

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Neon GFIS Gas Assisted Etch and Beam Induced Deposition -Characterization for Semiconductor Applications-

リックリビングッド, Tan Shida, Hallstein Roy M., Ali Waqas

セッションID: 16p-315-6
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_269

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Single-nanometer patterning of graphene by HIM for advanced applications

水田博, シュミットマレク, 神崎晃悠, 小川真一, ムルガナタンマノハラン

セッションID: 16p-315-7
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_270

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Nanofabrication of superconducting devices with focused helium ion irradiation

Shane Cybart

セッションID: 16p-315-8
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_271

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アンダーソン局在を利用したグラフェンのナノ構造直描法

内藤裕一, 小川真一

セッションID: 16p-315-9
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_272

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ヘリウムイオン照射パターニングによるグラフェンの電気伝導制御

中払周

セッションID: 16p-315-10
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_273

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Interaction of gas field ionized nitrogen with silicon

Marek Edward Schmidt, Xiaobin Zhang, Yoshifumi Oshima, Le The Anh, Ant ...

セッションID: 16p-315-11
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_274

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イントロダクトリー窒化物半導体特異構造の科学

三宅秀人, 藤岡洋

セッションID: 14p-503-1
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_275

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AlリッチAlGaN系量子井戸の発光・非発光過程

川上養一, 市川修平, 船戸充

セッションID: 14p-503-2
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_276

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窒化物不均一系における励起子多体効果とその光機能性

山田陽一, 倉井聡, 室谷英彰

セッションID: 14p-503-3
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_277

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プラズモニクスによる発光再結合制御と高効率化

岡本晃一

セッションID: 14p-503-4
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_278

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横方向成長を利用したミリワット級 GaN VCSEL

濱口達史, 御友重吾, 中島博, 伊藤仁道, 佐藤進, 川西秀和, 成井啓修

セッションID: 14p-503-5
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_279

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m面AlInNエピタキシャルナノ構造を用いた偏光光源の可能性

秩父重英, 小島一信, 上殿明良, 佐藤義孝

セッションID: 14p-503-6
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_280

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光音響・発光同時計測による窒化物半導体の内部量子効率の絶対測定

山口敦史, 中納隆, 坂井繁太, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆

セッションID: 14p-503-7
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_281

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c面基板上窒化ガリウム系レーザーの現状について

枡井真吾, 長濱慎一

セッションID: 14p-503-8
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_282

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材料設計・プロセス設計のためのデータ駆動型化学

船津公人

セッションID: 15p-MH-1
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_283

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マテリアルズインフォマティクスの方法論

小出康夫

セッションID: 15p-MH-2
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_284

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インシリコスクリーニングによる新規窒化物半導体の発見

大場史康

セッションID: 15p-MH-3
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_285

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SiC溶液成長における最適条件高速探索手法の提案

角岡洋介, 小久保信彦, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹

セッションID: 15p-MH-4
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_286

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エピタキシャル成長のマルチフィジックスシミュレーションの現状

白石賢二, 関口一樹, 長川健太, 白川裕規, 川上賢人, 山本芳裕, 洗平昌晃, 永松謙太郎, 新田州吾, 岡本直也, ...

セッションID: 15p-MH-5
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_287

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シンクロトロン放射光を用いた結晶成長プロセス評価

高橋正光

セッションID: 15p-MH-6
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_288

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インフォマティクスを用いたコンビナトリアル結晶構造解析

岩崎悠真, Kusne A. Gilad, 竹内一郎, Fackler Sean

セッションID: 15p-MH-7
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_289

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Siパワーデバイスプロセス技術

岩室憲幸

セッションID: 16p-502-1
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_290

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SiCパワーデバイスプロセスの動向

浅原浩和

セッションID: 16p-502-2
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_291

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4H-SiC MOS界面特性の制御のための熱酸化プロセスの設計

喜多浩之

セッションID: 16p-502-3
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_292

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分圧制御酸化によるSiC-DMOSFETゲート絶縁膜の形成

小林慶亮, 清水悠佳, 島明生

セッションID: 16p-502-4
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_293

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積層W/C電極を用いた高耐熱SiCショットキーバリアダイオード

鈴木智之, 若林整, 筒井一生, 岩井洋, 角嶋邦之

セッションID: 16p-502-5
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_294

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縦型GaNデバイスプロセス技術

加地徹

セッションID: 16p-502-6
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_295

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GaNへのイオン注入とデバイスへの応用

中村徹, 三島友義, 池田清治, 吉野理貴

セッションID: 16p-502-7
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_296

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PDF形式でダウンロード (346K)
パワーデバイスに向けたGa₂O₃ウエハプロセス技術

倉又朗人, 輿公祥, 佐々木公平, 後藤健, 渡辺信也, 山岡優, 脇本大樹, ティユクァントゥ, 増井建和, 山腰茂 ...

セッションID: 16p-502-8
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_297

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ダイヤモンドの結晶成長技術

小泉聡

セッションID: 16p-502-9
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_298

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高温・高速動作ダイヤモンドパワーデバイスのプロセス技術

梅沢仁

セッションID: 16p-502-10
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_299

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バルク結晶作成技術と結晶物性

福田承生

セッションID: 15p-502-1
発行日: 2017/03/01
公開日: 2022/11/23

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2017.1.0_300

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