応用物理学会学術講演会講演予稿集

第69回応用物理学会春季学術講演会

選択された号の論文の3127件中2651～2700を表示しています

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InGaNナノコラム蛍光発光を用いた黄色発光LEDの検討

壁屋誠人, 東峰佳伸, 安永弘樹, 水口公陽, 西川敦, Alexander Loesing, 関口寛人

セッションID: 23a-E202-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2651

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脳に密着可能な広域脳領域を標的とするフレキシブルμLEDの開発

北出泰己, 松平颯, 神田稜太, 西川敦, Alexander Loesing, 瀬戸川将, 大川宜昭, 関口寛人

セッションID: 23a-E202-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2652

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マイクロLED神経プローブ駆動時の脳内温度モニタリング

竹内響, 安永弘樹, 水口公陽, 西川敦, Alexander Loesing, 瀬戸川将, 大川宜昭, 関口寛人

セッションID: 23a-E202-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2653

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マイクロLEDによる脳内光減衰特性と生体光刺激の実証

安永弘樹, 水口公陽, 大屋翔, 竹内響, 西川敦, Loesing Alexander, 瀬戸川将, 大川宜昭, 関口寛人

セッションID: 23a-E202-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2654

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ScAlMgO₄基板上への高In組成InGaN発光素子の作製

尾﨑拓也, 船戸充, 川上養一

セッションID: 23a-E202-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2655

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マイクロLEDディスプレイのアクティブマトリクス用HEMT

古沢優太, Cai Wentao, Park Jeonghwan, Cheong Heajeong, 牛田泰久, 天野浩

セッションID: 23a-E202-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2656

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垂直性・深度の高いモノリシック型Micro LEDアレイ作製に必要なICPエッチング技術

今泉雄太, ポージンマーク, 長澤剛, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智

セッションID: 23a-E202-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2657

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Output couplerによるマイクロLEDの光取り出し効率改善に関する研究

川口信ディエゴ, 荒川泰彦, ホームズマーク

セッションID: 23a-E202-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2658

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ピクセル化技術を用いたInGaN系RGBマイクロLEDアレイの作製

飯田大輔, 庄喆, キリレンコパベル, ベラスケスリゾマーティン, 大川和宏

セッションID: 23a-E202-10
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2659

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赤色発光MQWsを有するInGaN系ナノコラムにおけるAlGaN障壁層のAl組成依存性

山田純平, 本田達也, 水野愛, 富樫理恵, 野村一郎, 山口智広, 本田徹, 岸野克巳

セッションID: 23p-E202-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2660

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誘電体薄膜を用いた局在型表面プラズモン共鳴の緑色波長領域での調整と窒化物半導体における高効率発光

亀井勇希, 垣内晴也, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一

セッションID: 23p-E202-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2661

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In_0.05Ga_0.95N/GaNヘテロ構造におけるフォノン輸送過程の2波長レーザ同時照射法による解析

中山朋哉, 伊藤航太郎, 馬ベイ, 飯田大輔, 大川和宏, 石谷善博, 浅地竜也, Mohammed Najimi

セッションID: 23p-E202-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2662

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光音響・発光同時計測と時間分解発光測定によるInGaN量子井戸における輻射・非輻射再結合寿命の分離評価

森恵人, 森本悠也, 袴田舜也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

セッションID: 23p-E202-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2663

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InGaN系量子井戸構造における発光波長の励起波長依存性

中津留圭悟, 倉井聡, 岡田成仁, 室谷英彰, 矢野良樹, 小関修一, 朴冠錫, 山田陽一

セッションID: 23p-E202-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2664

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AlGaN系UV-C多重量子井戸構造の高温誘導放出特性

濱田晟, 福田拓矢, 倉井聡, 岡田成仁, 室谷英彰, 前田哲利, M. Ajmal Khan, 定昌史, 平山秀樹, 山田 ...

セッションID: 23p-E202-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2665

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オフ角が異なるサファイア上AlNテンプレートを用いたAlGaN量子井戸のカソードルミネッセンス評価

倉井聡, 藤井恵, 大西悠太, 中谷文哉, 岡田成仁, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

セッションID: 23p-E202-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2666

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ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価

今城大渡, 山肥田涼, 金森弘尚, 渡邊龍一, 木村健司, 今野泰一郎, 藤倉序章, 山口敦史

セッションID: 23p-E202-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2667

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非輻射再結合から見たギャップ内発光に関する考察

角谷正友, 森本悠也, 山口敦史, 矢代秀平, 本田徹

セッションID: 23p-E202-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2668

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極低温から室温までの励起子発光ダイナミクスのフォノン・励起子・輻射モデルによる解析

地崎匡哉, 大木健輔, 石谷善博

セッションID: 23p-E202-10
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2669

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顕微ラマン分光法による多層電極付n型GaN結晶の高温電子物性と熱応力効果

須田潤, 川瀬幹貴

セッションID: 23p-E202-11
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2670

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単結晶窒化ガリウム基板を用いた光電極表面におけるキャリア移動機構の解明

山口信義, 落合貴也, 嶺岸耕, 杉山正和

セッションID: 23p-E202-12
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2671

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分光エリプソメトリーを用いたサファイア基板上Al_1-xIn_xN混晶のバンド端近傍における光学特性解析

豊田隼大, 村上裕人, 宮田梨乃, 今井大地, 宮嶋孝夫, 三好実人, 竹内哲也

セッションID: 23p-E202-13
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2672

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サファイア基板上Al_1-xIn_xN混晶薄膜における基礎吸収端以下の光吸収過程

村上裕人, 豊田隼大, 久保寿敏, 正木京介, 今井大地, 宮嶋孝夫, 三好実人, 竹内哲也

セッションID: 23p-E202-14
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2673

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断面・平面TEMによるNPSS上AlN厚膜の微細構造解析

中西悠太, 濱地威明, 中島義賢, 林侑介, 藤平哲也, 肖世玉, 正直花奈子, 三宅秀人, 酒井朗

セッションID: 24a-E202-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2674

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深さ分解ナノビームX線回折法によるコーン型NPSS上AlN厚膜の高空間分解能3次元トモグラフィック解析

中西悠太, 林侑介, 藤平哲也, 隅谷和嗣, 今井康彦, 木村滋, 肖世玉, 三宅秀人, 酒井朗

セッションID: 24a-E202-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2675

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多層極性反転AlNの傾斜面KOHエッチングによる極性判定

林侑介, 中西悠太, 藤平哲也, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 酒井朗

セッションID: 24a-E202-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2676

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スパッタアニール法で作製したAlN極性反転構造における酸素プラズマ照射効果

林侑介, Li Jiaying, 中西悠太, 藤平哲也, 上杉謙次郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 五十嵐信行, 酒井朗

セッションID: 24a-E202-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2677

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GaNナノパイプm面側面への酸素偏析が表面エネルギーを減じる可能性

望月和浩, 堀切文正, 太田博, 三島友義

セッションID: 24a-E202-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2678

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Structural Analysis on OVPE GaN by Nanobeam X-ray Diffraction

武振東, 中西悠太, 林侑介, 藤平哲也, 滝野淳一, 今井康彦, 隅谷和嗣, 木村滋, 酒井朗

セッションID: 24a-E202-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2679

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GaN自立基板中のらせん成分を含む貫通転位部に形成したショットキー接触におけるリーク特性評価

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

セッションID: 24a-E202-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2680

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特異的に大きなリーク電流を生じたGaN基板中b=1cらせん転位におけるショットキー接触のI-V-T特性解析

濱地威明, 藤平哲也, 林侑介, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 酒井朗

セッションID: 24a-E202-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2681

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GaN縦型pnダイオード中の特異なフォトルミネッセンス発光

谷川智之, 塚越真悠子, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 森勇介, 川崎晟也, 田中敦之, 本田善央, 天野浩, 上向井正裕, ...

セッションID: 24a-E202-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2682

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窒化物半導体におけるピラミッド型インバージョンドメイン形成の理論解析

仁木克英, 秋山亨, 伊藤智徳

セッションID: 24a-E202-10
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2683

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Naフラックス法における窒素脱離特性を活用した微小GaN種結晶上の核発生成進

リクセンタンドリーヨ, 村上航介, 久保等, 今西正幸, 宇佐美茂佳, 丸山美帆子, 吉村政志, 森勇介

セッションID: 24p-P04-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2684

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UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム (Ⅱ)

齋藤元希, 吉田圭佑, 篠田宏之, 六倉信喜

セッションID: 24p-P04-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2685

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RF-MBE法によるDERI法を用いたScAlMgO₄基板上GaN結晶成長

黒田悠弥, 和田邑一, 栢本聖也, 後藤直樹, 藤井高志, 毛利真一郎, 荒木努

セッションID: 24p-P04-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2686

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RF-MBEによる多層膜緩衝層を用いた低転位密度GaInNの製作

板橋大樹, 山口智広, 尾沼猛儀, 本田徹

セッションID: 24p-P04-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2687

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RF-MBE法による高Al組成AlGaN/AlN量子井戸成長と発光特性の評価

早崎真洸, 橋本真里, 山口朋也, 山口智広, 本田徹, 尾沼猛儀

セッションID: 24p-P04-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2688

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トンネル接合形成を目的としたZnO付加によるAlGaN LEDの発光特性への影響

浮田駿, SUN ZHENG, 田尻武義, 内田和男

セッションID: 24p-P04-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2689

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2段階ウェットエッチング法における陽極酸化n-GaNの電気伝導特性評価

神尾岳, 金田洸貴, 平田拓也, 藤岡洋, 前田就彦

セッションID: 24p-P04-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2690

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第一原理計算を用いた高濃度シリコンドープ窒化ガリウムの電子状態

山口泰大

セッションID: 24p-P04-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2691

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第一原理計算に基づくAlN(0001)表面上のGaN層の構造安定性評価

足道悠, 秋山亨, 伊藤智徳

セッションID: 24p-P04-9
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2692

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TMGa添加ポストアニール処理によるc面サファイア基板上AlNの結晶品質改善

井村将隆, 稲葉英樹, 間野高明, 石田暢之, 上杉文彦, 黒田陽子, 中山佳子, 竹口雅樹, 小出康夫

セッションID: 25a-E203-1
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2693

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高温有機金属気相成長法におけるAlNの特異的なステップバンチング

宮川拓己, 津田翔太, 富田敦之, 平山秀樹, 高島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎

セッションID: 25a-E203-2
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2694

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低オフ角サファイア基板を用いた高温AlN成長におけるV/III比依存性

富田敦之, 津田翔太, 宮川拓己, 平山秀樹, 高島祐介, 直井美貴, 永松謙太郎

セッションID: 25a-E203-3
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2695

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MOVPE成長温度とメサの大きさがステップフリーAlN膜の表面形態に与える影響

山中祐人, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 上杉謙次郎, 三宅秀人

セッションID: 25a-E203-4
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2696

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低抵抗Mgドープp型高Al組成AlGaN成長

鷲山瞬, 郝国棟, 松下智紀, 井上振一郎

セッションID: 25a-E203-5
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2697

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六方晶窒化ホウ素薄膜の減圧CVDにおける原料ガス導入タイミング

吉岡陸, 田中佑樹, 渡邊泰良, 増田克仁, 大石泰己, 増田希良里, 小南裕子, 原和彦

セッションID: 25a-E203-6
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2698

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コールドウォール反応管を用いる六方晶窒化ホウ素薄膜の減圧CVDにおける原料供給量依存性

増田克仁, 渡邊泰良, 田中佑樹, 吉岡陸, 大石泰己, 増田希良里, 小南裕子, 原和彦

セッションID: 25a-E203-7
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2699

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傾斜組成 BGaN 層を用いた BGaN 放射線検出器の開発

夏目朋幸, 宮澤篤也, 中村大輔, 林幸佑, 橋本優作, 川崎晟也, 權熊, 若林源一郎, 本田善央, 天野浩, 井上 ...

セッションID: 25a-E203-8
発行日: 2022/02/25
公開日: 2025/04/19

DOIhttps://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2022.1.0_2700

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