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VI
族半導体
は短波長光デバイス材料として研究されてきたが, ZnSe系レーザーダイオードの実現が報告され,とくにレーザー材料としての観点から,一層の注目を浴びている.そこで,光とキャリアを閉じ込めることのできる,レーザー構造を設計することを目的に,現時点で可能な範囲で, ZnCdSSe系半導体の基礎物理パラメーターの検討を行った.一方,結晶成長技術の進歩により, ZnOdSSe系三元,四元混晶を用いた,高品質な多層デバイス構造の作製も可能となってきた.このようにして設計・作製した光励起レーザーなどの特性から,この材料系のもっ可能性が示された.今後,電流注入による安定した室温連続発振にむけての研究の進展が,大いに期待される.
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