日本物理学会誌
Online ISSN : 2423-8872
Print ISSN : 0029-0181
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II-VI族半導体ZnOにおける新たな強誘電相
小野寺 彰
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1998 年 53 巻 4 号 p. 282-286

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抄録
II-VI族半導体ZnOのZnをLiで一部置換すると強誘電性を示すことが見出された. 代表的な強誘電体に比べ, 誘電率, 自発分極, 非熱異常が小さいなど特徴的な特性を示す. 相転移に伴う結晶構造の変化も0.002A^^。と非常に小さい. メカニズムはまだ不明であるが, Li置換による電子系の変化が主因の新しいタイプの強誘電体である可能性が高い.
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