SiCの中性子照射損傷の加熱による回復過程(2)

抄録

高速中性子を照射した炭化ケイ素 (SiC)を照射温度_から_高温において等温熱処理し、巨視的寸法変化を求めた。同様に、熱拡散率の変化を求め、欠陥濃度及び欠陥の易動度を検討した。得られた結果より導入された欠陥の回復挙動を検討した。