赤外分光法による水素イオン照射シリカガラスの損傷過程の研究

抄録

OH基濃度の異なるシリカに、高エネルギー水素イオンを照射した時の、注入水素の化学状態を赤外吸収分光法によって定量的に調べた。水素イオンが注入される深さ領域 （表面から約400nm） にあらかじめ含まれるOH基の数は打ち込まれた水素原子量に比べはるかに少ないにもかかわらず、シリカガラス内での水素の蓄積量や結合状態に違いをもたらすことが明らかとなった。