日本原子力学会 年会・大会予稿集
2004年秋の大会
セッションID: E23
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分析技術
フェムト秒レーザー蒸発によるSUS表面加工層の残留応力変化
SCC対策への応用
*西村 昭彦峰原 英介松岡 史哲塚田 隆中野 純一菊地 正彦
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抄録
SCCの対策技術としてフェムト秒レーザー蒸発の応用を進めている。SCCの原因となる冷間加工層に対してフェムト秒レーザー蒸発を実施し、残留応力の低下を試みた。フライス加工により引っ張り残留応力を導入した原子力用ステンレス鋼に対して、アルゴンガス雰囲気下でフェムト秒レーザーパルスを照射した。偏光は直線偏光と円偏光の両方を試みた。残留応力変化はX線回折測定により求めた。レーザーパルスの繰り返し照射により、SUS表層が蒸発し引っ張り残留応力は減少した。アルゴンガス雰囲気では真空中よりも効果的に残留応力の減少が認められた上に圧縮応力を加えることができることが判明した。レーザー顕微鏡による観察の結果、蒸発面はアルゴンガス中では真空中よりも平滑な面を得ることができた。加工面は良好な対SCC腐食性を有しており、本技術がSCC対策技術として有効なことが判明した。
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© 2004 一般社団法人 日本原子力学会
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