SiCの照射クリープに及ぼすヘリウム効果

抄録

前回までの発表で、炭化珪素（SiC）の応力下イオン照射により、熱クリープが起こらない温度以下（約1000℃以下）でも照射クリープが誘起されることを報告してきた。今回は、ヘリウムイオン同時照射を行い、照射クリープに及ぼすヘリウム効果を報告する。SiCのスウェリングは、ヘリウム同時照射によりヘリウム無しの場合に比較して促進される結果がこれまで報告されている。しかし、これとは反対に照射クリープひずみ量は、ヘリウムにより抑制される結果となった。本発表ではこの結果を示し、原因について議論する。