ヒ素-アンチモン-モリブデン系三元錯体を用いる吸光光度法による半導体用二酸化ケイ素薄膜中のヒ素の定量

抄録

ヒ素-アンチモン-モリブデン系三元錯体の生成を利用したヒ素の吸光光度法について検討した.錯体は[H⁺]/[MoO₄^2-]=90±10,モリブデン酸塩濃度(0.001～0.003)Mの範囲で常温で安定に生成することが分かった.連続変化法と元素分析による検討結果から,ヒ素,アンチモン,モリブデンのモル比は1:2:8と推定された.精度は2μgの測定で2.5%,定量下限は最終液量5mlとした場合0.2μgであった.リンは微量の存在がヒ素(V)の定量に影響を与えるが,ヒ素(III),ゲルマニウムは同量まで,ケイ素は100倍量共存しても定量に影響を与えなかった.本法を半導体用二酸化ケイ素薄膜中のμgレベルのヒ素の定量に応用し,良好な結果を得た.