抄録
我々は化学気相成長法(CVD:Chemical Vapor Deposition)によって作成した成膜実験データを解析することで、CVD装置内における装置内部における原料ガスの反応速度と経路を示した反応モデルを自動的に提案する反応機構自動解析システムを開発している。従来は、この提案された反応モデルの評価を行うために大域的最適化アルゴリズムによるシミュレーターによって反応モデルから膜厚分布を計算していた。しかし、局所解に陥る危険性や計算コストの面などから課題を抱えていた。本研究では、CVD装置内部の反応拡散方程式を定式化することで、成膜速度分布厳密解の導出に成功した。この厳密解を使用することで、従来のアルゴリズムと比較して数10～数1000倍高速に膜厚分布を求めることが可能となった。また、この厳密解を反応機構自動解析システムに実装し、従来の方法と比較検証を行った結果、解析結果の信頼性の向上と大幅な高速化が確認できた。
