表面活性化法による４インチウェハ精密接合装置の開発

高木 秀樹; 西田 圭佑; 西岡 泰城; 前田 龍太郎

doi:10.11486/ejisso.18.0.201.0

第18回エレクトロニクス実装学術講演大会

セッションID: 19B-08

DOI https://doi.org/10.11486/ejisso.18.0.201.0

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主催: 社団法人エレクトロニクス実装学会

表面活性化法による４インチウェハ精密接合装置の開発

*高木秀樹 ^†, 西田圭佑 ^†, 西岡泰城 ^†, 前田龍太郎 ^†

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キーワード: ウェハ接合, 位置決め, 表面活性化法, 常温接合, MEMS

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抄録

真空中でのArビームスパッタエッチングによる表面活性化法を用いて，４インチウェハを高精度で位置決め・接合する装置を開発した．位置決め精度として５ミクロン以下が可能で，また常温での接合によりシリコンでは母材強度に匹敵する接合強度が得られた．各種MEMSデバイスの組立・パッケージングへの応用が期待される．

責任著者(Corresponding author)

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