ULSI銅配線用バリア層形成における無電解NiBめっきプロセス

抄録

ULSI銅配線には、CuのSiへの拡散防止のため乾式法により成膜したTiN等がバリア層として用いられている．しかし今後の更なる配線の微細化に際し，乾式法では均一性やコスト面等の問題が懸念される．そこで我々はオールウェットプロセスでのULSI配線の形成を目的とし，均一析出性及びステップカバレッジに優れた無電解めっき法によるバリア層作製の検討を行ってきた．以前の検討において，有機単分子膜を成膜したSiO₂上に無電解NiBめっきを行う為に必要な触媒化，成膜条件について検討を行った．本検討ではより詳細な成膜条件の検討を行い，さらに湿式法によりCuめっき膜を作製し，NiB膜のバリア特性評価の検討を行った。