抄録
LSI製品の動作確認には、チップに設けられた電極パットにプローブを立てて電気特性を検査する方法が採用されている。そのプローブは、電気めっき法によるニッケルバンプが検討され、高アスペクト比ニッケルバンプ作製の有機添加剤の研究が報告されている。 一方、無電解ニッケルめっきは、等方成長（膜圧の均一性）であることからプローブ用ニッケルバンプを作製した場合、バンプ形状はドーム型の高アスペクト比バンプにはならず、横に広がり平たいバンプ形状になる。 そこで我々は、バンプ形状を制御できる異方成長促進剤を検討し、高アスペクト比（１．２以上）の無電解ニッケルバンプの作製に成功した。このバンプは、１）横方向への広がりが少ない、２）縦方向へのめっき成長速度が速い、３）バンプ高さばらつきが少ない、４）高硬度、のバンプの為、マイクロプローブへの応用が期待できる。
