抄録
次世代液晶デバイスの製造において、ガラス基板上への結晶化シリコンアレイ、低界面準位密度の絶縁膜および低抵抗配線の形成プロセス技術の開発が必須となる。 基板上の結晶化シリコンアレイにTFT・CMOSを直接形成する方法では、これと同レベルの微細配線形成が必要となる。したがって、従来のプラスチック基板上への配線回路形成において適用されてきた、プラスチック基板表面のエッチング粗化、パラジウムコロイド吸着、レジスト印刷および無電解銅めっきのプロセスでは、基板表面の粗化に伴う電気信号の高速伝播および配線の微細化への対応に問題がある。 本研究では、1．選択的紫外線照射による基板への局部的濡れ性の付与、2．金属ナノ粒子の選択的吸着および熱処理の簡便なプロセスによる、基板上への微細回路形成について検討した。
