抄録
Si半導体デバイスの多層配線の形成には、湿式Cuめっき法が使用されている。一方、SiおよびSiO2中へのCu拡散を防止するバリア層およびキャップ層には、従来からPVD法によるTaNおよびSiN層が使用されている。湿式法によるCu微細配線の形成が主流となった場合、乾式法によるバリア層およびキャップ層の形成おいて、微細トレンチ・コンタクトホール開口部の閉塞およびトレンチ部への選択的成膜が大きな問題となる。無電解めっきは、複雑な形状の部材にもconformalな析出が可能であり、配線パターン上への選択的成膜も可能である。ULSIの性能上、浴中のアルカリイオン金属の存在は好ましくないことが予想され、めっき浴としてはこれらの存在しない無電解めっき浴の開発が必須である。 本研究では、バリア層およびキャップ層を無電解Co-W-BおよびCo-W-Pめっきにより形成する方法および皮膜特性について検討した。
