抄録
携帯電話やゲーム機等に使用されるシステムLSI製品の小型・高機能化を実現する三次元フリップチップ実装構造において，著者等はチップとバンプ層界面にバンプ配列周期に依存して周期的な残留応力分布が発生することと，積層チップ間のバンプ相対位置関係に依存して残留応力値が数倍も変化する場合があることなどを実験・解析両面から明らかにしてきた．本研究では，単結晶Si歪ゲージ(ゲージ長2 μm)を搭載した応力測定チップを試作し，バンプ相対位置関係に依存した局所残留応力分布の変動を実証した概要について報告する．さらに，積層チップ間のバンプ相対位置関係を考慮した実装設計指針を提案する．
