ＢＧＡ実装基板のレーザスペックル干渉法による熱変形計測及びはんだにかかる荷重のＦＥＭ解析

抄録

電子デバイスをＢＧＡ実装した電子基板は、周囲温度が変化するとデバイスと基板の熱膨張の差により変形を生じはんだ接合部に力が発生する。従来の共晶はんだはクリープ変形によってその力を吸収していたが、鉛フリーはんだではクリープ変形小さいため、その力の大半は基板に伝達される。本研究ではレーザスペックル干渉法によって色々なデバイス配置のＢＧＡ実装基板の熱変形を計測し、その結果を参照しながら、鉛フリーＢＧＡの個々の半田にかかる力をＦＥＭ解析した。