抄録
無電解Au/Ni-P及びAuの下地としてPdを50nm,200nm施したPWB基板ランドの上にSn-3Ag-0.5Cu（mass%）はんだボールを搭載した。はんだボールの接合信頼性を確認するために、リフローを加算的に加え、プル強度の変化と金属間化合物の形成状態を相関付けた。解析の結果、下記の知見を得た。1. Pdめっきの有無に拘わらず、リフロー加算に伴うプル強度の低下は、Ni-P表面におけるPリッチ層の成長に依存する。2．リフローの加算によってほとんどのPdがはんだ内部へ拡散すると、Sn-Ni-Cu化合物の形成に伴う一時的な強度上昇と同時に、Ｐリッチ層の成長に伴う強度減少が起きる。
