抄録
近年、パッケージ搭載基板ではL/S＝20/20μｍ以下の微細配線形成性が要求される。銅箔を給電層にしてセミアディティブ法で回路形成を行う場合、微細化の為には給電層である銅箔を極端に薄くする技術が必要になる。通常のエッチング液では液あたりの良い場所からエッチングが進む為、均一にエッチングを行うのが難しい。著者らはペルオキソ二硫酸塩水溶液に微量のエッチング抑制剤を加えることで、エッチング速度が液攪拌に逆依存することを発見した。更に、抑制剤の量をコントロールすることで、エッチング速度が液攪拌に依存しないエッチング液を作製することが可能であることを見出した。
