抄録
半導体レーザの発光波長のひずみ依存性は300 nm/1%-Strainに達するという理論解析もあることから，実装工程における残留ひずみ（応力）制御は製品の信頼性上極めて重要な課題である．そこで，今後の光電子混載モジュールも含め，実装（パッケージング）工程で生じる半導体レーザの残留ひずみ（応力）変化による発光スペクトル変化を定量的に議論することを目的に，四点曲げ負荷試験法を応用し，半導体レーザに既知の一軸ひずみを負荷誌ながら発光スペクトル変化を測定した．その結果，実装工程で生じうるひずみ変化で発光中心波長や発光スペクトルの半価幅が負荷ひずみに依存して変動することを実証したので，その概要を報告する．
