電源－グランド間インピーダンス付加による非理想電源下でのIBISモデルの精度向上

抄録

SI（信号品質）解析用のICモデルとして, IBIS（I/O Buffer Information Specification）モデルが幅広く活用されている. IBISモデルは理想電源を前提としており, 非理想電源下では精度が悪化することが指摘されている. 本発表では, 電源－グラウンド間共振とSIとの相関を示し，IBISモデルに電源－グラウンド間インピーダンスを付加することによってSI解析精度が向上することを示す. DUTとして市販のCMOSインバーターを用い, 電源-グラウンド間インピーダンスの実測に基づく抽出法を示す. また, 構築したモデルの精度を従来のIBISモデルと比較する.