ナノトランスファー法を用いた強誘電体膜の剥離特性

抄録

プリント基板の小型化にあたり基板表面の受動素子を基板内部に内蔵する考えがある。コンデンサの内蔵においては強誘電体の結晶化に要求される高温プロセスに基板が耐えられず実用化されている基板内蔵コンデンサの誘電率は数十程度である。そこでナノトランスファー法と呼ばれるプロセスを用いて基板外部で強誘電体に高熱処理を加えた後、剥離転写により目的の基板に実装させることで基板に高熱処理をかけることを避け、高誘電率基板内蔵コンデンサを実現する。強誘電体としてPZT、電極にはPtやCuを用いて剥離実験を行いその剥離特性を得た。これから剥離プロセスにおけるいくつかのメカニズムについての知見を特性と合わせて報告する。