Cuバンプを用いたチップ間常温かしめ接続技術の開発

抄録

貫通電極を形成したチップ間の接続技術として，常温かしめ接続技術を開発中である。これまでにAuバンプを形成したチップをかしめ接続で積層し，チップ上に配置したトランジスタが正常動作することを確認した。本報告では，低コストやプロセス汎用性に有効なCuバンプに変更した場合の適用可能性について検証した。　Cuの貫通電極とバンプを形成したウェハを積層して，両ウェハの配線パターンと接続部からなるデージーパターンを形成し，デージーパターンの電気抵抗からかしめ接続部の接続抵抗を算出した。算出した接続抵抗は平均0.085Ωであり，かしめ接続を適用することで、常温レベルでCu電極同士を接続できる見通しを得た。