Auナノ粒子をHe不活性ガスで搬送し、基板上のレジストホールに対してノズルから高速にAuナノ粒子を堆積させると、ホール底面部のみならず、ホールエッジ部にもAuナノ粒子が堆積しひさしを形成する。このひさしが成膜過程においてホールを狭窄する方向に成長することで自己形成的に錐形状のバンプがホール内に作製される。このときのひさしの成長過程をレジストホール近傍におけるHeガス挙動のシミュレーションと合わせて考察した。また、φ10μmサイズのAu錐形バンプ作製し、対向する基板上のAlもしくはAuパッドにフリップチップ接合し、バンプ接合部の断面SEM観察、ディジーチェーン接続による直列抵抗を評価した。
