めっき銅薄膜配線はプリント基板配線に留まらず，半導体デバイス上の薄膜配線や貫通ビア内配線あるいは実装用微細バンプとして活用されている．しかし，耐マイグレーション耐性が必ずしもバルク銅の特性を反映せず，長寿命化への妨げとなっている．そこでめっき銅薄膜のマイグレーション耐性の低下因子として残留応力と膜中不純物の相互作用に着目した．その結果，膜形成後の熱履歴に依存して残留する高い引張応力と，めっき時に取り込まれる硫黄元素の粒界拡散が銅元素の拡散を加速し，マイグレーション耐性を支配する重要因子であることを明らかにした．
