SiNとAlへのメタライゼーションの基礎的検討

抄録

現在、半導体技術に代わる高密度実装の研究が進められている。その中でも、小型化が可能で環境にも優しいウエハレベルチップサイズパッケージ（W-CSP）が、携帯電話をはじめ多くの電子デバイスに用いられている。しかし、この技術はウエハプロセスが終了した後にSiNとAlへ同時にメタライゼーションをする事が必要となってくる。