水素ラジカル処理したSnAgCuはんだのフラックスレス低温固相接合技術

抄録

近年、半導体デバイスやMEMSでは、多様な異種デバイスの三次元実装や更なる狭ピッチ接続による高機能化、小型・高密度化が求められ、低温接合技術への要求が高まっている。また、微細構造におけるはんだ接合ではフラックス残渣の洗浄が課題となっている。本研究では、水素ラジカル処理したSn3.0Ag0.5Cu(wt%)はんだをAu膜にフラックスレス、大気圧下で低温固相接合するプロセスを提案する。これにより、大気暴露時間30分以上、170℃の低温において接合を実現し、30 MPa以上のダイシェア強度を得た。また、封止枠の接合に適用することで、表面粗さ許容性の高い、チップサイズ気密封止技術を実現した。