三次元貫通配線における劣化支配因子の解明

抄録

次世代高機能LSIの実現には異種デバイスを積層する三次元実装構造の開発が不可欠である．デバイス間の信号伝送は二次元アレイ状に配列した貫通配線で行われる．しかし，半導体材料と金属材料間の線膨張係数差に起因して，その製造工程や使用環境において局所的に大きな熱応力が発生し，機械的な不良を引き起こしている．そこで，配線材料の熱履歴を考慮した応力発生メカニズムを詳細に検討し，その低減方法を確立した．