パワーSi MOSFETにおけるホットスポット位置及び温度の電圧依存性

抄録

パワーSi MOSFETはカーエレクトロニクスなどのパワーエレクトロニクスを支える主要な半導体デバイスである。近年、周囲環境の高温化に伴い、厳密な熱設計が求められるようになっており、ホットスポット部の信頼性確保が急務となっている。本研究では、熱・電気連成解析を用いて、ホットスポット温度の位置及び温度の電圧依存性の詳細を議論する。