抄録
隕石中の希ガスはある物質に集中して存在し、800K以上の高温で脱ガスすることが知られている。採取の困難さと限られた希ガス含有量のため、この物質の希ガスが取り込まれている構造の解明はなされていない。現在までの議論で、希ガスは物理吸着で存在していると見なされている。しかし、脱ガス温度がKr, Xeの融点より500K以上も高いことから、単なる物理吸着で存在しているのではなく、固体中で化学結合など吸着より強い作用をもって取り込まれている可能性が高い。本研究では、この希ガス濃集物質と高温高圧にて合成されたアナログ物質の希ガス近傍の局所構造解析を試みた。
