電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)
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<電子物性・デバイス>
放射光光電子分光法によるSiO2薄膜の有効減衰長の実験的決定
井上 敬介寺岡 有殿
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2010 年 130 巻 10 号 p. 1817-1818

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抄録
The effective attenuation length (EAL) is a necessary parameter to estimate the thickness of SiO2 overlayer by X-ray photoemission spectroscopy (XPS). Inelastic mean free path (IMFP) is often used instead of EAL because EAL is scarcely known. EAL values were determined experimentally in the photon energy region from 480 eV to 800 eV using synchrotron radiation photoemission spectroscopy. EALs estimated are different from calculated IMFPs. Average values of theoretically-calculated IMFPs are close to the estimated EALs.
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© 電気学会 2010
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