電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌)
Online ISSN : 1348-8155
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<電子物性・デバイス>
ノーマリーオフ型高電流密度GaN-HEMT
金村 雅仁多木 俊裕吉川 俊英今西 健治原 直紀
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2010 年 130 巻 6 号 p. 929-933

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抄録

We present high performance normally-off GaN MIS-HEMTs. Devices with n-GaN/i-AlN/n-GaN cap layer, recessed gate and insulated gate structure show high drain current and complete normally-off operation. A maximum drain current and threshold voltage are 800 mA/mm and +3 V, respectively. The off-state breakdown voltage is over 320 V. In addition, a current collapse is very small. These results indicate that the recessed AlGaN/GaN MIS-HEMT with novel triple cap layer could be a promising technology for future device applications.

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© 電気学会 2010
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