名古屋大学
2021 年 141 巻 10 号 p. 624-626
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1.はじめに
パワーコンバータに使用されるパワー半導体デバイスには長年Si系のものが用いられてきたが,最近は化合物半導体デバイス(SiC, GaN, Ga2O3など)の利用が可能になってきており,高速スイッチング・低損失化といった面で著しい特性改善が進められている。これらパワー半導体デバ
電氣學會雜誌
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