特集 超高周波スイッチング時代に向けたパワーコンバータ用受動素子
パワーコンバータ用インダクタの要素技術・応用技術
2021 年 141 巻 10 号 p. 624-626
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2021 年 141 巻 10 号 p. 624-626
1．はじめに
パワーコンバータに使用されるパワー半導体デバイスには長年Si系のものが用いられてきたが，最近は化合物半導体デバイス（SiC, GaN, Ga2O3など）の利用が可能になってきており，高速スイッチング・低損失化といった面で著しい特性改善が進められている。これらパワー半導体デバ
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