大分大学
佐賀大学
2024 年 144 巻 11 号 p. 709-712
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1.はじめに
近年,パワーエレクトロニクス機器の小型,高効率化のため,窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタなどの適用により,キャリア周波数の高周波化が進んでいる(1)。GaNパワー半導体を用いるインバータに接続されたインダクタでは,入力電圧の急峻なスイッチング時に共振に
電氣學會雜誌
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