電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)
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特集論文
シリコン基板上に成膜した窒化アルミニウムの圧電定数の温度依存性
加納 一彦荒川 和樹竹内 幸裕秋山 守人上野 直広蒲原 敏浩川原 伸章
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2006 年 126 巻 4 号 p. 158-163

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抄録
We report for the first time the temperature dependence of the piezoelectric coefficient d33 of the aluminum nitride (AlN) film measured at temperatures up to 300 °C. A highly c-axis oriented AlN film was successfully deposited on a polycrystalline silicon / silicon dioxide / silicon wafer by a reactive sputtering technique to form a piezoelectric uni-morph actuator. A scanning laser Doppler vibrometer was used to measure the picometer level displacement of the actuator at 20 kHz at different temperatures. The piezoelectric coefficient d33 has a constant value of 5 pC/N at temperatures ranging between 20 °C and 300 °C.
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© 電気学会 2006
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