電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)
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論文
SiO2/Si3N4積層ダイアフラムを用いた金属ひずみゲージ圧力センサ
中野 洋松本 昌大小野瀬 保夫太田 和宏
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ジャーナル 認証あり

2019 年 139 巻 4 号 p. 63-68

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抄録

This paper describes MEMS pressure sensor that can be fabricated simultaneously with MEMS micro-heater. The pressure sensor has a thin-film diaphragm consisting of SiO2/Si3N4 films and a metal strain gauge on the diaphragm. The pressure sensor rectifies nonlinear pressure characteristic due to large deflection of diaphragm by combining bending strain and elongation strain. Absolute pressure sensor using the diaphragm shows good temperature characteristics of ±4% or less for temperature range -40℃∼+80℃, absolute pressure range 50kPa∼300kPa without any temperature compensations.

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© 2019 電気学会
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