オペアンプと集積化したpoly-Siホール素子の磁場応答特性

映像情報メディア学会誌

Online ISSN : 1881-6908
Print ISSN : 1342-6907
ISSN-L : 1342-6907

これすぽんでんす

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ジャーナルフリー

2015 年 69 巻 7 号 p. J227-J229

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抄録

磁場センサへ応用することを想定して，オペアンプと集積化したpoly-Siホール素子の磁場応答特性を評価した．ホール素子の磁場感度11.8mV/Tは，オペアンプで1.14V/Tまで向上した．Poly-Si TFTのアナログ回路への適用の好例である．

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